Intel：下代酷睿仍用14nm工藝，性能已等于三星10nm

（公眾號(hào)：雷鋒網(wǎng)）消息：2月10日，英特爾在投資者會(huì)議上正式發(fā)布了第8代酷睿處理器，將于今年下半年亮相。遺憾的是，第8代酷睿處理器并沒(méi)有采用傳聞中的10nm工藝，而是依舊沿用14nm工藝，英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝，但是英特爾表示，第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。

據(jù)悉，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表示，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會(huì)在今年底出貨。

雖然三星、臺(tái)積電都已經(jīng)研發(fā)出14nm工藝，并且成功量產(chǎn)。但是英特爾表示自己的14nm工藝和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的10nm工藝同樣優(yōu)秀，領(lǐng)先對(duì)手整整三年。

根據(jù)英特爾在投資者會(huì)議上公開(kāi)的PPT，其2014年研發(fā)出來(lái)的第一代14nm FinFET（即Broadwell所用）和三星以及臺(tái)積電的10nm工藝看齊。

此外，根據(jù)英特爾高級(jí)院士Mark Bohr的說(shuō)法，英特爾10nm工藝的柵極間距是54nm，是同時(shí)代10nm最強(qiáng)。

據(jù)悉，Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果傳言屬實(shí)，那么英特爾的10nm是否能夠?qū)��?biāo)三星和臺(tái)積電的7nm工藝呢？

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