碳納米技術(shù)：將使固態(tài)硬盤壽命無(wú)限

在固態(tài)硬盤問(wèn)世之初，外界對(duì)其穩(wěn)定性曾經(jīng)有過(guò)嚴(yán)重的擔(dān)憂。經(jīng)過(guò)證明，固態(tài)硬盤的穩(wěn)定性要比我們所想的更高，壽命基本可以達(dá)到10年以上。但問(wèn)題在于，它們所使用的NAND閃存的確會(huì)產(chǎn)生損耗。不過(guò)現(xiàn)在，一種名為NRAM的新技術(shù)聲稱可取代現(xiàn)有的NAND閃存，為固態(tài)硬盤帶來(lái)近乎無(wú)限的使用壽命。

NAND的缺陷和其自身的設(shè)計(jì)有關(guān)。在NAND閃存當(dāng)中，數(shù)據(jù)是使用電荷進(jìn)行保持的，后者會(huì)被用來(lái)判斷某段內(nèi)存當(dāng)中所包含的是0還是1。在使用過(guò)程當(dāng)中，用來(lái)固定電子的絕緣層會(huì)產(chǎn)生損耗，并最終影響內(nèi)存值判斷的準(zhǔn)確性。

而NRAM的工作方式則有所不同。它由碳納米管層所制作而成，當(dāng)這些納米管彼此接近時(shí)，電阻就會(huì)降低，反之則會(huì)提高。電壓可以讓這些納米管在不同狀態(tài)之間切換，從而讓它們存儲(chǔ)0或1。

納米管的耐久度極高，可實(shí)現(xiàn)幾乎無(wú)限的讀寫循環(huán)。它們還具備耐熱、耐寒、抗電磁干擾和輻射的能力，而這些對(duì)于NAND或其他任何存儲(chǔ)介質(zhì)都是非常危險(xiǎn)的。與此同時(shí)，它們的數(shù)據(jù)讀寫速度也非常快，可達(dá)到DDR4通道的飽和值。

在問(wèn)世之后，這項(xiàng)技術(shù)或許不會(huì)對(duì)于消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)生直接、明顯的影響。但對(duì)于數(shù)據(jù)中心和超級(jí)計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，它的耐久度的確是個(gè)很大的吸引力。發(fā)明這項(xiàng)技術(shù)的公司Nantero表示，它們目前正在和前五大半導(dǎo)體代工廠的其中兩家進(jìn)行合作。

Nantero表示，首批使用NRAM技術(shù)的產(chǎn)品將使用20nm工藝制作而成，但具體問(wèn)世時(shí)間目前還尚未確定。

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