籌資千億，中芯國際、武漢新芯要撐起國產(chǎn)存儲芯片大旗

雷鋒網(wǎng)7月3日消息，近日，調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布了一份報(bào)告，報(bào)告顯示武漢新芯集成電路制造有限公司被中國政府選為存儲芯片產(chǎn)業(yè)的首要重點(diǎn)區(qū)域，未來將籌資240億美元來打造中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)知情人士透露，本次募資將由國家大基金領(lǐng)投，中芯國際、湖北省，以及一些社會資本也將參與投資。如此一來，中芯國際和武漢新芯將組建一支有競爭力的國家存儲芯片陣容。

實(shí)際上，在2014年6月國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》后，國內(nèi)CPU大軍都通過政府或外資的注入得到了跨越式的發(fā)展。但是在這期間，存儲芯片依舊沒有得到明顯改善。根據(jù)市場分析，中國存儲芯片幾乎全部來自進(jìn)口。

該知情人士還表示，在聯(lián)合各地政府、新芯以及中芯國際后，未來有望與三星、美光、東芝、海力士等存儲巨頭抗衡。原本負(fù)責(zé)在北京籌建存儲基地的中心國際首席運(yùn)營官趙海軍，將擔(dān)任領(lǐng)軍者。

目前，武漢新芯存儲芯片的最大單月產(chǎn)能為6萬-7萬片，但是其NOR Flash實(shí)際月產(chǎn)能僅為2萬片左右，還未達(dá)到贏利點(diǎn)。好在今年2月與存儲芯片公司Spansion達(dá)成合作，將聯(lián)手開發(fā)與生產(chǎn)3D NAND閃存技術(shù)，首款合作產(chǎn)品將在2017年問世。

此外，中芯國際與武漢新芯還有可能進(jìn)一步實(shí)行收購計(jì)劃，以進(jìn)一步提升中國存儲芯片實(shí)力。

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