傳驍龍830最大支持8GB內(nèi)存，采用三星10nm工藝

1月22日消息，搭載驍龍820處理器的手機(jī)還未上市，這邊已經(jīng)傳來了驍龍830的消息。

據(jù)微博用戶@i冰宇宙 爆料稱，下代高通移動處理器驍龍830（MSM8998）將采用改進(jìn)的Kryo架構(gòu)，最大支持8GB內(nèi)存，使用三星10nm工藝制造，會在2017年初發(fā)布。

作為對比，即將上市的驍龍820采用自主設(shè)計的64位架構(gòu)，四個Kryo核心，使用三星14nm FinFET工藝制造。

其實(shí)這并不是第一次傳出驍龍830支持8GB內(nèi)存，去年底知名電子行業(yè)分析師潘九堂就曾透露驍龍830將支持8GB內(nèi)存。

根據(jù)往年的經(jīng)驗(yàn)，旗艦手機(jī)的內(nèi)存一般一年增加1GB，據(jù)說今年將有6GB內(nèi)存的手機(jī)，但我們還是先等等5GB內(nèi)存的吧。

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