工藝落后于三星臺積電，英特爾：別開玩笑

需要注意的是，英特爾的10納米要等到2017年年底，而競爭對手則在今年年底和明年年初。也就是說，英特爾的新工藝比競爭對手晚了超過至少半年左右的時間。雖然沒有人否認晶體管密度指標越出色越好，但英特爾不得不面對的事實在于，2018年上半年臺積電就能過渡到7納米工藝制程。我們不清楚，更晚是否意味著某種競爭的劣勢。

當然，盡管臺積電聲稱，其7納米技術(shù)將會在性能和芯片面積方面優(yōu)于10納米，但未提到指定面積下的晶體管數(shù)量，所以是否縮小了與英特爾10納米技術(shù)的差距目前還不清楚。目前可以確定的是，英特爾的“10”、“10 ”和“10 ”絕對不會晶體管性能上妥協(xié)。

無論如何，英特爾還是那個英特爾，有實力讓任何質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢競爭中落后的人都閉嘴，當臺積電和三星的工藝制程仍只能用于打造移動芯片的時候，英特爾的就已經(jīng)實現(xiàn)了多樣化發(fā)展，可以在各個市場叱咤風云，無論是熟悉的服務(wù)器市場，還是傳統(tǒng)PC行業(yè)，乃至未來的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，英特爾似乎做了最充分的準備。

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