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高通第三代快速充電技術發(fā)布:半小時可充80%

來源:安卓中國 | 時間:2015-09-15 16:31:04 | 閱讀:162 |  標簽: 快速充電技術 高通   | 分享到:

高通今日宣布,其子公司Qualcomm Technologies, Inc. 現(xiàn)已推出下一代快速充電技術Qualcomm®Quick Charge™3.0。作為快速充電技術的第三代產(chǎn)品,Quick Charge 3.0在同類產(chǎn)品中首次采用最佳電壓智能協(xié)商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法。

INOV是由Qualcomm Technologies開發(fā)的全新算法,旨在幫助便攜設備具備選定所需功率電平的能力,以在任意時刻實現(xiàn)最佳功率傳輸,且最大化效率。Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內(nèi)將一部典型的手機從零電量充電至80%,而不具備Quick Charge的傳統(tǒng)移動終端通常需要大致一個半小時的時間。

高通第三代快速充電技術發(fā)布:半小時可充80%

借助INOV和其他先進技術的Quick Charge 3.0,可實現(xiàn)比Quick Charge 2.0最高達38%的效率提升,同時還采用其他方法幫助保護電池壽命周期。此外,當與Qualcomm Technologies最新的、先進并聯(lián)充電配置一起使用時,Quick Charge 3.0可以實現(xiàn):

與Quick Charge 2.0相比,幫助提高快速充電速度最高達27%,或減少功率損耗最高達45%

比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度

Quick Charge 3.0現(xiàn)已正式推出,并將在部分Qualcomm®驍龍™處理器中以選配形式提供,包括驍龍820、620、618、617和430處理器;搭載這一技術的移動終端預計將于明年上市。Qualcomm驍龍?zhí)幚砥魇荙ualcomm Technologies, Inc.的產(chǎn)品。

Quick Charge 3.0還帶來了諸多方面的提升:在Quick Charge 2.0的基礎上增強了靈活性,特別是在充電選項方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓,Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔,提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機獲得恰到好處的電壓,達到預期的充電電流,從而最小化電量損失、提高充電效率并改善熱表現(xiàn)。

Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及連接器(包括USB Type-C)前向和后向兼容,并且擁有同樣的超快充電速度,以及獨立電路,為OEM廠商提供更靈活的選擇,此外還有幫助達到質(zhì)量和安全標準的UL認證。

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