聯(lián)發(fā)科第二？制程工藝竟不如展訊

在手機(jī)芯片領(lǐng)域，聯(lián)發(fā)科是僅次于高通的Fabless，前者雖然一直未能擺脫“山寨之王”的標(biāo)簽，但不可否認(rèn)的是，過去幾年其在中低端市場(chǎng)份額一步步攀升，并且甩開了老對(duì)手三星，勢(shì)頭正猛的聯(lián)發(fā)科甚至還想逆襲高通，推出全球首款十核處理器Helio X20來坐鎮(zhèn)高端市場(chǎng)。

然而，進(jìn)軍高端行列還未果，面對(duì)國(guó)產(chǎn)大軍的異軍突起，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)已經(jīng)幾乎消耗殆盡，在中低端市場(chǎng)遭到大陸廠商的夾擊后，腹背受敵的聯(lián)發(fā)科市場(chǎng)前景并不樂觀，更別談逆襲高通了。

現(xiàn)在，不得不再次向聯(lián)發(fā)科潑一回冷水，Helio X20的十核只是個(gè)噱頭而已。

臺(tái)灣媒體報(bào)道，與海思齊名的另一家國(guó)產(chǎn)芯片商展訊，明年將推出一款代號(hào)為“whale 2”的4G八核處理器，并且會(huì)跳過20nm，直接采用臺(tái)積電的16nm工藝（臺(tái)積電有三種16nm工藝：普通的16FF、高端的16FF+和中低端的16FFC）。雖然這款處理器具體規(guī)格還未透露，但是在工藝上已經(jīng)領(lǐng)先了聯(lián)發(fā)科一級(jí)，因?yàn)镠elio X20采用的還是稍落后的20nm工藝。根據(jù)聯(lián)發(fā)科的規(guī)劃，明年第三季度才會(huì)拿出1xnm芯片，如此一來，展訊也成功的打了個(gè)時(shí)間差。

我們不禁要問，第二大手機(jī)處理器廠為何在工藝上落后這么多？

過去幾年，聯(lián)發(fā)科一直迷戀于“堆核心”戰(zhàn)略，從4核心到10核心一直領(lǐng)先對(duì)手，但是多數(shù)業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為“堆核心”只是迷惑消費(fèi)者，并不能真正提升處理器的性能。只有提升提升工藝，縮小體積降低功耗，同時(shí)保證性能才能造出一顆好的處理器。

然而，執(zhí)著于堆核并且死磕成本的聯(lián)發(fā)科一再錯(cuò)失上手先進(jìn)工藝的最佳機(jī)遇。如今，三星已經(jīng)率先用上了14nm FinFET工藝，而高通年底即將發(fā)布的驍龍820也將采用同一工藝，Helio X20單憑所謂的十核心來打敗這兩大勁敵希望渺茫；如今，海思和展訊都已經(jīng)進(jìn)入FinFET階段，可以說聯(lián)發(fā)科在制造工藝上已經(jīng)敗得一塌糊涂了。

Helio X20采用了3個(gè)Cluster，包含了一個(gè)低功耗的1.4GHz四核心A53，一個(gè)平衡性能和功耗的2.0GHz四核心A53，以及一個(gè)用于高性能的2.5GHz的雙核A72核心。根據(jù)ARM官方給出的數(shù)據(jù)，A72對(duì)比以前的A15性能提高了3.5倍，功耗卻下降了75%，但是這一優(yōu)化是在16nm FinFET工藝的加持下才獲得的數(shù)據(jù)。所以實(shí)際采用20nm的Helio X20因?yàn)楣に嚨南拗�，并不能發(fā)揮出A72性能的上限。

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