三星在量產(chǎn)16G GDDR6顯存：用于游戲設備業(yè)界第一

據(jù)悉，新的GDDR6內(nèi)存采用三星先進的10納米（nm）級工藝技術(shù)，具有16Gb的密度，是公司20納米8G GDDR5內(nèi)存的兩倍。新的解決方案以每秒18千兆位（Gbps）的引腳速度執(zhí)行，數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒72千兆字節(jié)（GBps），相對于8Gb引腳速度的8Gb GDDR5而言，增加了兩倍以上。

新型GDDR6采用創(chuàng)新的低功耗電路設計，工作電壓為1.35V，與廣泛使用的1.55V GDDR5相比，能耗降低約35%。與20納米8Gb GDDR5相比，10nm級16Gb GDDR6的工作效率也提高了30%。

隨著密度，性能和能源效率的提高，16Gb GDDR6將被廣泛應用于8K超高清視頻處理，虛擬現(xiàn)實（VR），增強現(xiàn)實（AR）和人工智能等快速發(fā)展的領域。

隨著包括新的18Gbps 16Gb GDDR6和最近推出的2.4Gbps 8GB HBM2在內(nèi)的廣泛的圖形存儲器陣容，三星預計在未來幾年將顯著加速優(yōu)質(zhì)內(nèi)存市場的增長。

今年1月初，三星已經(jīng)開始量產(chǎn)其當前市場上數(shù)據(jù)傳輸速度最快的第二代8GB高帶寬顯存-2（HBM2）——Aquabolt，這也是業(yè)內(nèi)首款可提供每引腳2.4Gbps數(shù)據(jù)傳輸速度的HBM2。

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